Nástroje | Rychlý kontakt | Cart |

info@ntchip.com

< >

Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtain- ed from the product data sheet.

Global Power Technologies Group GP2M004A065HG

Name: GP2M004A065HG
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP2M004A065HG
Rating: 4.9 (1 reviews)

Výrobce Číslo dílu :	GP2M004A065HG
Výrobce :	Global Power Technologies Group
Popis :	MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Stav bez olova / stav RoHS :	Lead free / RoHS Compliant
Datasheet :	GP2M004A065HG.PDF
EDA / CAD Models :	GP2M004A065HG by SnapEDA
Stock Condition :	In Stock 2000, New Original

Množství:

RFQ Add to RFQ List

Delivery:

Payment:

Request for Quotation

*kontaktní jméno:

*Jméno společnosti:

*E-mailem:

Země :

* Quantity

Poznámka :

Please fil the form and we'll get back to you within 24 hours.

Quick RFQ

Technické parametry GP2M004A065HG

Series:	-
FET Type:	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature:	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss):	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25～C:	4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	2.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:	5V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:	642pF @ 25V
Power - Max:	98.4W
Operating Temperature:	-55～C ~ 150～C (TJ)
Mounting Type:	Through Hole
Package / Case:	TO-220-3
Supplier Device Package:	TO-220

Detaily produktu

We can supply Global Power Technologies Group part# GP2M004A065HG, k vyžádání použijte formulář žádosti GP2M004A065HG cena a dodací lhůta. Nantian Electronics - ntchip.com je nezávislý distributor elektronických součástek. S 3+ miliony řádkových položek dostupných elektronických součástek mohou být dodány v krátké dodací lhůtě, více než 300 tisíc čísel dílů elektronických součástek na skladě pro okamžité dodání, které mohou zahrnovat číslo dílu GP2M004A065HG. Cena a dodací lhůta pro GP2M004A065HG v závislosti na požadovaném množství, dostupnosti a umístění skladu. Kontaktujte nás ještě dnes a náš obchodní zástupce vám poskytne cenu a doručení na část # GP2M004A065HG. Těšíme se na spolupráci s vámi.