IGBT – bipolární tranzistory s jedním nebo jedním izolovaným hradlem jsou typem výkonového elektronického zařízení, které se běžně používá v mnoha typech elektronických zařízení. Tyto diskrétní polovodiče slouží jako klíčová součást ve spínacích aplikacích, kde mohou zapínat nebo vypínat tok elektrického proudu. Jejich hlavní funkcí je řídit elektrickou energii kombinací jednoduchých hradlových charakteristik tranzistorů MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) se schopností bipolárních tranzistorů s vysokým proudem a nízkým saturačním napětím. Díky své jedinečné struktuře vykazují mimo jiné vysokou vstupní impedanci, snadné ovládání, vysokou rychlost přepínání a robustnost.
IGBT – Single jsou zvláště vhodné pro aplikace, které vyžadují vysoké napětí a vysoký proud, např. jako napájecí jednotky, invertory v klimatizacích a pohony elektromotorů. Tato zařízení lze nalézt také v jiných specifických aplikacích, jako jsou systémy obnovitelné energie, elektrická vozidla a vlaky. Mezi hlavní charakteristiky IGBT - Single patří vysoká účinnost, vynikající tepelný výkon a schopnost pracovat na vysokých frekvencích. Řada výrobců, jako jsou Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics a Toshiba, se specializuje na výrobu IGBT – Single a nabízí širokou škálu možností pro splnění různých specifikací a provozních požadavků.