RF FET, jinak známé jako tranzistory s vysokofrekvenčním polem, jsou typem diskrétního polovodičového zařízení, které hraje klíčovou roli v několika moderních elektronicích. Fungují jako spínač nebo zesilovač v elektronických obvodech a regulují elektrické chování. Tyto produkty využívající napětí k řízení toku proudu jsou nedílnou součástí funkcí zařízení od rádií a televizorů až po nezbytná telekomunikační zařízení. Povaha a přesnost RF FET je činí speciálně vhodnými pro vysokofrekvenční aplikace, jako je Wi-Fi, RF výkonové zesilovače v bezdrátových komunikačních zařízeních, radarové systémy a satelitní komunikace, kde zajišťují bezproblémový a stabilní přenos.
Mezi hlavní charakteristiky RF FET patří jejich vysoká vstupní impedance, která umožňuje vynikající řízení napětí, a jejich schopnost zvládnout silný signál bez zkreslení díky vysokému zesílení výkonu. Výrobci jako NXP Semiconductors, Infineon Technologies a Qorvo vedou trh ve výrobě RF FET.