Kodu / Tooted  /  Diskreetne pooljuht  /  FET-id – üksikud  /  IXFH60N65X2
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtain- ed from the product data sheet.

IXYS IXFH60N65X2

Tootja Osa number : IXFH60N65X2
Tootja : IXYS
Kirjeldus : MOSFET N-CH 650V 60A TO-247
Pliivaba olek / RoHS staatus : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : IXFH60N65X2.PDF IXFH60N65X2 PDF
EDA / CAD Models : IXFH60N65X2 by SnapEDA
287 295 2097781 http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100672C(IXFH60N65X2).pdf IXYS/IXFH60N65X2 2097781

Request for Quotation

Technical Parameters of IXFH60N65X2

Series:HiPerFET?
FET Type:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature:Standard
Drain to Source Voltage (Vdss):650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25~C:60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs:107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:6180pF @ 25V
Power - Max:780W
Operating Temperature:-55~C ~ 150~C (TJ)
Mounting Type:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Supplier Device Package:*

Toote üksikasjad

We can supply IXYS part# IXFH60N65X2, kasutage taotlemiseks hinnapakkumise vormi IXFH60N65X2 hind ja tarneaeg. Nantian Electronics – ntchip.com on sõltumatu elektroonikakomponentide varude turustaja. Rohkem kui 3 miljonit saadaolevate elektroonikakomponentide rida saab tarnida lühikese tarneajaga, laos on üle 300 tuhande osanumbri elektroonikakomponendist kohe tarnimiseks, mis võib sisaldada ka osa numbrit IXFH60N65X2. Hind ja tarneaeg IXFH60N65X2 sõltuvalt vajalikust kogusest, saadavusest ja lao asukohast. Võtke meiega ühendust juba täna ja meie müügiesindaja pakub teile osa # hinda ja tarnimist IXFH60N65X2. Ootame teiega äritegemist.

IXFH60N65X2 Related Products

Kuum allahindlus

Elektrooniliste osade register
Rohkem
# 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

We value your privacy

Our website uses cookies to ensure you are getting the best browsing experience, serve personalized content, and analyze our traffic.
By clicking "Accept Cookies", you consent to our use of cookies. Privacy Policy