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Global Power Technologies Group GP1M003A090C

Fabricante Número de parte : GP1M003A090C
Fabricante : Global Power Technologies Group
Descripción : MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
Estado libre de plomo/Estado RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : GP1M003A090C.PDF GP1M003A090C PDF
EDA / CAD Models : GP1M003A090C by SnapEDA
Cantidad:
287 309 2165400 /Datasheets/Discrete Semiconductor Products/GP1M003A090xx.pdf Global-Power-Technologies-Group/GP1M003A090C 2165400

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Technical Parameters of GP1M003A090C

Series:-
Diode Configuration:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Diode Type:Standard
FET Type:900V
IGBT Type:2.5A (Tc)
Structure:5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Transistor Type:4V @ 250米A
Triac Type:17nC @ 10V
Type:748pF @ 25V
Voltage:94W
Voltage - Breakover:-55~C ~ 150~C (TJ)
Voltage - Off State:Surface Mount

Detalles de producto

We can supply Global Power Technologies Group part# GP1M003A090C, use el formulario de solicitud de cotización para solicitar GP1M003A090C Precio y tiempo de entrega. Nantian Electronics - ntchip.com es un distribuidor independiente de componentes electrónicos. Con más de 3 millones de elementos de línea de componentes electrónicos disponibles que se pueden enviar en un plazo breve, más de 300 000 números de pieza de componentes electrónicos en stock para entrega inmediata, que pueden incluir el número de pieza GP1M003A090C. El precio y el tiempo de entrega de GP1M003A090C dependiendo de la cantidad requerida, disponibilidad y ubicación del almacén. Contáctenos hoy y nuestro representante de ventas le proporcionará el precio y la entrega en el n.º de pieza GP1M003A090C. Esperamos hacer negocios con usted.

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