SIA477EDJ-T1-GE3 - Stock, Datasheet & Price

Vishay Siliconix SIA477EDJ-T1-GE3

Valmistaja Osa numero :	SIA477EDJ-T1-GE3
Valmistaja :	Vishay Siliconix
Kuvaus :	MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
Lyijytön tila / RoHS-tila :	Lead free / RoHS Compliant
Datasheet :	SIA477EDJ-T1-GE3.PDF
Download Datasheet :	SIA477EDJ-T1-GE3 Details.PDF
EDA / CAD Models :	SIA477EDJ-T1-GE3 by SnapEDA

Technical Parameters of SIA477EDJ-T1-GE3

Series:	TrenchFET?
FET Type:	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature:	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss):	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25～C:	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	14 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:	1V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:	87nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:	2970pF @ 6V
Power - Max:	19W
Operating Temperature:	-55～C ~ 150～C (TJ)
Mounting Type:	Surface Mount
Package / Case:	PowerPAK? SC-70-6
Supplier Device Package:	PowerPAK? SC-70-6 Single

tuotteen yksityiskohdat

We can supply Vishay Siliconix part# SIA477EDJ-T1-GE3, käytä tarjouspyyntölomaketta SIA477EDJ-T1-GE3 hinta ja toimitusaika. Nantian Electronics - ntchip.com on riippumaton elektronisten komponenttien varastojakelija. Yli 3 miljoonan valikoiman elektronisia komponentteja voidaan toimittaa lyhyessä toimitusajassa, yli 300 tuhatta osanumeroa elektronisia komponentteja varastossa välittömästi toimitettavaksi, mukaan lukien osanumero SIA477EDJ-T1-GE3. Hinta ja toimitusaika SIA477EDJ-T1-GE3 riippuen tarvittavasta määrästä, saatavuudesta ja varaston sijainnista. Ota meihin yhteyttä jo tänään, niin myyntiedustajamme toimittaa sinulle hinnan ja toimituksen osalle # SIA477EDJ-T1-GE3. Odotamme innolla liiketoimintaa kanssasi.

Vishay Siliconix SIA477EDJ-T1-GE3

Technical Parameters of SIA477EDJ-T1-GE3

tuotteen yksityiskohdat

SIA477EDJ-T1-GE3 Related Products

Kuuma myynti

We value your privacy