SIB457EDK-T1-GE3 - Stock, Datasheet & Price

Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3

Valmistaja Osa numero :	SIB457EDK-T1-GE3
Valmistaja :	Vishay Siliconix
Kuvaus :	MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
Lyijytön tila / RoHS-tila :	Lead free / RoHS Compliant
Datasheet :	SIB457EDK-T1-GE3.PDF
EDA / CAD Models :	SIB457EDK-T1-GE3 by SnapEDA

Technical Parameters of SIB457EDK-T1-GE3

Series:	TrenchFET?
FET Type:	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature:	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss):	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25～C:	9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	35 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id:	1V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:	44nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:	-
Power - Max:	13W
Operating Temperature:	-55～C ~ 150～C (TJ)
Mounting Type:	Surface Mount
Package / Case:	PowerPAK? SC-75-6L
Supplier Device Package:	PowerPAK? SC-75-6L Single

tuotteen yksityiskohdat

We can supply Vishay Siliconix part# SIB457EDK-T1-GE3, käytä tarjouspyyntölomaketta SIB457EDK-T1-GE3 hinta ja toimitusaika. Nantian Electronics - ntchip.com on riippumaton elektronisten komponenttien varastojakelija. Yli 3 miljoonan valikoiman elektronisia komponentteja voidaan toimittaa lyhyessä toimitusajassa, yli 300 tuhatta osanumeroa elektronisia komponentteja varastossa välittömästi toimitettavaksi, mukaan lukien osanumero SIB457EDK-T1-GE3. Hinta ja toimitusaika SIB457EDK-T1-GE3 riippuen tarvittavasta määrästä, saatavuudesta ja varaston sijainnista. Ota meihin yhteyttä jo tänään, niin myyntiedustajamme toimittaa sinulle hinnan ja toimituksen osalle # SIB457EDK-T1-GE3. Odotamme innolla liiketoimintaa kanssasi.

Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3

Technical Parameters of SIB457EDK-T1-GE3

tuotteen yksityiskohdat

SIB457EDK-T1-GE3 Related Products

Kuuma myynti

We value your privacy