RF FETit, jotka tunnetaan myös nimellä Radio Frequency Field-Effect Transistorit, ovat erillisiä puolijohdelaitteita, joilla on keskeinen rooli useissa moderneissa elektroniikassa. Ne toimivat kytkimenä tai vahvistimena elektronisissa piireissä sääteleen sähköistä käyttäytymistä. Nämä tuotteet, jotka käyttävät jännitettä virran ohjaamiseen, ovat olennaisia laitteita radioista ja televisioista olennaisiin tietoliikennelaitteisiin. RF FET:ien luonne ja tarkkuus tekevät niistä erityisen sopivia korkeataajuisiin sovelluksiin, kuten Wi-Fi-verkkoon, RF-tehovahvistimiin langattomissa viestintälaitteissa, tutkajärjestelmissä ja satelliittiviestinnässä, missä ne takaavat saumattoman ja vakaan tiedonsiirron.
RF FET:ien tärkeimpiä ominaisuuksia ovat niiden korkea tuloimpedanssi, joka mahdollistaa erinomaisen jännitteen hallinnan, ja kyky käsitellä voimakasta signaalinvoimakkuutta ilman vääristymiä niiden suuren tehonvahvistuksen ansiosta. Valmistajat, kuten NXP Semiconductors, Infineon Technologies ja Qorvo, johtavat RF-FET-tuotannon markkinoita.