IGBT-k (Insulated-Gate Bipoláris Tranzisztorok) – A tömbök olyan teljesítmény-félvezető eszközök sorozatát jelentik, amelyek számos elektronikus rendszer kritikus összetevőiként szolgálnak. Ezeket az eszközöket elsősorban az elektromos áram tömb konfigurációban történő kapcsolására használják, ami nagy hatékonyságot és gyors kapcsolást tesz lehetővé. Az IGBT-k egyedi felépítése lehetővé teszi a nagyfeszültségű bipoláris tranzisztorok és MOSFET-ek előnyeinek kombinálását, alacsony teljesítményveszteséget és nagy kapcsolási sebességet kínálva. Ezek az eszközök különféle alkalmazásokhoz alkalmasak, többek között motorhajtásokhoz, tápegységekhez és megújuló energiarendszerekhez. Kifejezetten jelentős teljesítményszint kezelésére és hatékony gyors be- és kikapcsolásra tervezték őket, nagyfeszültségű képességet és jobb energiahatékonyságot kínálva.
IGBT-k – A tömbök sokrétű felhasználási területtel rendelkeznek, tekintettel a nagy bemeneti impedanciájukra, alacsony bekapcsolt állapotú feszültségesés és gyors kapcsolási képességek. Az ipari alkalmazások területén gyakran alkalmazzák ezeket a frekvenciaváltókban, az induktív fűtésben, a mágneses levitációban és a sínvontatásban, többek között. Az IGBT-tömbök néhány prominens gyártója az Infineon, a Toshiba, a Mitsubishi Electric, az ON Semiconductor és a Texas Instruments. IGBT-k – A tömböket robusztusságuk, tartósságuk és hatékonyságuk jellemzi, így nélkülözhetetlenek a nagy teljesítményű elektronikus rendszerekben.