Tranzisztorok – IGBT-k – A modulok fejlett elektronikus alkatrészek, amelyeket az elektromos energia hatékony kapcsolására és erősítésére használnak az alkalmazások széles körében. Az IGBT, amely az Insulated Gate Bipoláris Tranzisztor rövidítése, egy olyan teljesítménytranzisztor, amely egyesíti a terepi tranzisztorok (FET) egyszerűségét a bipoláris tranzisztorok nagyáramú és alacsony telítési feszültségével. Az IGBT modul egy integrált egység, amely tartalmazza az IGBT-t, valamint szabadonfutó diódákat, amelyek szükségesek a teljesítményhez és a megbízhatósághoz. Ezek a modulok főként az elektromos járművek, ipari motorok, elektromos hálózatok és megújuló energiarendszerek, például inverterek napelemes invertereinek hatékony szabályozására és átalakítására szolgálnak.
A tranzisztorok fő jellemzői – IGBT – A modulok között szerepel a nagy hatékonyság. , gyors kapcsolási sebesség, valamint a nagy feszültségek és áramok kezelésére való képesség. Ezek az attribútumok kulcsfontosságúvá teszik őket olyan alkalmazásokban, amelyek nagy teljesítménysűrűséget és energiahatékonyságot igényelnek, például elektromos autókban, ahol az akkumulátor és a motor közötti elektromos energiát irányítják. A magas kapcsolási frekvencia lehetővé teszi a teljesítményelektronika kompakt és könnyű kialakítását is. A tranzisztorok – IGBT – modulok neves gyártói közé tartozik többek között az Infineon Technologies, a Fuji Electric, az ON Semiconductor és a Mitsubishi Electric.