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Global Power Technologies Group GP1M008A080H

   
Produttore Numero parte : GP1M008A080H
Produttore : Global Power Technologies Group
Descrizione : MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : GP1M008A080H.PDF GP1M008A080H PDF
Download Datasheet : GP1M008A080H Details.PDF GP1M008A080H PDF
EDA / CAD Models : GP1M008A080H by SnapEDA
Stock Condition :In Stock 1, New Original
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Parametri tecnici di GP1M008A080H

Series:-
FET Type:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature:Standard
Drain to Source Voltage (Vdss):800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25~C:8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:4V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:1921pF @ 25V
Power - Max:250W
Operating Temperature:-55~C ~ 150~C (TJ)
Mounting Type:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Supplier Device Package:TO-220

Dettagli del prodotto

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