General Semiconductor/Vishay

GeneSiC Semiconductor ir galvenais novators silīcija karbīda (SiC) jaudas pusvadītāju pasaulē. Uzņēmums tika dibināts 2004. gadā, un tā galvenā mītne atrodas Fērfaksā, Virdžīnijas štatā, ASV. Uzņēmuma dibināšana bija nozīmīgs pavērsiens tehnoloģiju nozarē, vēstot par silīcija karbīda bāzes pusvadītāju laikmetu, kas kopš tā laika ir radījis revolūciju daudzās nozarēs ar saviem labākajiem veiktspējas parametriem salīdzinājumā ar tradicionālajiem silīcija pusvadītājiem.

Tā pirmsākumos GeneSiC Semiconductor koncentrējās uz augstas kvalitātes, uzticamu un tehnoloģiski progresīvu jaudas pusvadītāju izveidi. Gadu gaitā uzņēmums ir ievērojami paplašinājis savu produktu portfeli. Tagad tas piedāvā plašu ierīču klāstu, tostarp Schottky diodes, tiristorus un silīcija kontrolētos taisngriežus (SCR). Katra no šīm produktu kategorijām pārstāv jaunāko pusvadītāju tehnoloģiju, kas izstrādāta, lai apmierinātu enerģijas elektronikas nozares mainīgās vajadzības. Sākot ar kosmosa un beidzot ar atjaunojamās enerģijas lietojumiem, GeneSiC risinājumi ir dinamiski izstrādāti, lai nodrošinātu izcilus rezultātus dažādās jomās.

• Šotkija diodes: tās ir pazīstamas ar savu augsto efektivitāti un ātru pārslēgšanu. ātrumu. Tos plaši izmanto strāvas padeves un pārveidošanas lietojumos.
• Tiristori: tiristori ir pusvadītāju slēdži, kas ir slaveni ar spēju apstrādāt augsta sprieguma un strāvas līmeņus. Tie tiek izmantoti daudzās jaudas elektronikas lietojumprogrammās.
• Silicon Controlled Rectifiers (SCR): SCR ir trīs savienojumu PNPN ierīces, ko galvenokārt izmanto jaudas kontrolei un taisnošanai. Tos galvenokārt izmanto motora vadības un jaudas pārslēgšanas sistēmās.