Rīki | Ātrā saziņa | Cart |

Daļas numurs

info@ntchip.com

Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtain- ed from the product data sheet.

NXP Semiconductors PHKD13N03LT,118

Ražotājs Daļas numurs :	PHKD13N03LT,118
Ražotājs :	NXP Semiconductors
Apraksts :	MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Statuss bez svina / RoHS statuss :	Lead free / RoHS Compliant
Datasheet :	PHKD13N03LT,118.PDF
Download Datasheet :	PHKD13N03LT,118 Details.PDF
EDA / CAD Models :	PHKD13N03LT,118 by SnapEDA

Daudzums:

RFQ Add to RFQ List

Request for Quotation

*Kontakta vārds:

*Kompānijas nosaukums:

*E-pasts:

Valsts :

* Quantity

Piezīme :

Quick RFQ

Technical Parameters of PHKD13N03LT,118

Series:	TrenchMOS?
FET Type:	2 N-Channel (Dual)
FET Feature:	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss):	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25～C:	10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:	2V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:	10.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:	752pF @ 15V
Power - Max:	3.57W
Operating Temperature:	-55～C ~ 150～C (TJ)
Mounting Type:	Surface Mount
Package / Case:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package:	8-SO

Produkta informācija

We can supply NXP Semiconductors part# PHKD13N03LT,118, lai pieprasītu, izmantojiet piedāvājuma pieprasījuma veidlapu PHKD13N03LT,118 cena un izpildes laiks. Nantian Electronics — ntchip.com ir neatkarīgs elektronisko komponentu krājumu izplatītājs. Ar vairāk nekā 3 miljoniem pieejamo elektronisko komponentu rindu vienību var piegādāt īsā laikā, vairāk nekā 300 tūkstošiem elektronisko komponentu daļu numuru noliktavā tūlītējai piegādei, kas var ietvert daļas numuru. PHKD13N03LT,118. Cena un izpildes laiks par PHKD13N03LT,118 atkarībā no nepieciešamā daudzuma, pieejamības un noliktavas vietas. Sazinieties ar mums jau šodien, un mūsu tirdzniecības pārstāvis nodrošinās jums cenu un piegādi detaļai # PHKD13N03LT,118. Mēs ceram uz darījumu ar jums.

PHKD13N03LT,118 Related Products

PHKD6N02LT518

Krājumi : 700

Izziņa

PHKD6N2

Krājumi : 53

Izziņa

PHKD6N02LT

Krājumi : 1583

Izziņa

PHKD3NQ10T

Krājumi : 2500

Izziņa

PHKD13N03LT

Krājumi : 2500

Izziņa

PHKD3NQ10T,518

Krājumi : 8017

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Izziņa

PHKD13N03LT,118

Krājumi : 8686

MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

Izziņa

PHKD13N03LT,518

Krājumi : 9523

MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC

Izziņa

PHKD6N02LT,518

Krājumi : 8852

MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1

Izziņa

Karstā izpārdošana

88E6352-A1-TFJ2C000

Krājumi : 4350

High-performance Ethernet switch chip

Izziņa

1MBI900V-120-50

Krājumi : 136

IGBT MOD.DIODE SINGLE 900A 1200V SERIES

Izziņa

LTC4292IUJ#TRPBF

Krājumi : 7122

4-PORT IEEE 802.3BT PSE CONTROLL

Izziņa

FZ800R33KF2C

Krājumi : 30

Module

Izziņa

STM32F429IIH6

Krājumi : 2460

MCU 32-bit ARM Cortex M4 RISC 2MB Flash 2.5V/3.3V 201-Pin UFBGA Tray

Izziņa

ER1025-94KM

Krājumi : 3200

FIXED IND 100NH 1.35A 80 MOHM TH

Izziņa

W25Q256FVEIG

Krājumi : 18890

IC FLASH 256MBIT 80MHZ 8WSON

Izziņa

FZ1200R12KE3

Krājumi : 72

Infineon High Power IGBT Module Vces = 1200V IFRM = 2400A

Izziņa

FZ2400R12HP4

Krājumi : 65

Single switch IGBT module 1200 V 2400 A

Izziņa

60R010XPR

Krājumi : 5013

PTC RESET FUSE 60V 100MA RADIAL

Izziņa

LV25-P/SP5

Krājumi : 2250

Nominal 10mA 4.2 kV (4 kV DC / 5 min)

Izziņa

CM600HU-24F

Krājumi : 100

IGBT MOD SGL 1200V 600A F SER

Izziņa

Elektronisko detaļu indekss

Vairāk

# 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

We value your privacy

Our website uses cookies to ensure you are getting the best browsing experience, serve personalized content, and analyze our traffic.
By clicking "Accept Cookies", you consent to our use of cookies. Privacy Policy