Rīki | Ātrā saziņa | Cart |

Daļas numurs

info@ntchip.com

Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtain- ed from the product data sheet.

Rohm Semiconductor RGTH50TS65GC11

Ražotājs Daļas numurs :	RGTH50TS65GC11
Ražotājs :	Rohm Semiconductor
Apraksts :	IGBT 650V 50A 174W TO-247N
Statuss bez svina / RoHS statuss :	Lead free / RoHS Compliant
Datasheet :	RGTH50TS65GC11.PDF
Download Datasheet :	RGTH50TS65GC11 Details.PDF
EDA / CAD Models :	RGTH50TS65GC11 by SnapEDA

Daudzums:

RFQ Add to RFQ List

Request for Quotation

*Kontakta vārds:

*Kompānijas nosaukums:

*E-pasts:

Valsts :

* Quantity

Piezīme :

Quick RFQ

Technical Parameters of RGTH50TS65GC11

Series:	-
IGBT Type:	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	650V
Current - Collector (Ic) (Max):	50A
Current - Collector Pulsed (Icm):	100A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:	2.1V @ 15V, 25A
Power - Max:	174W
Switching Energy:	-
Input Type:	Standard
Gate Charge:	49nC
Td (on/off) @ 25～C:	27ns/94ns
Test Condition:	400V, 25A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr):	-
Package / Case:	TO-247-3
Mounting Type:	Through Hole
Supplier Device Package:	TO-247N

Produkta informācija

We can supply Rohm Semiconductor part# RGTH50TS65GC11, lai pieprasītu, izmantojiet piedāvājuma pieprasījuma veidlapu RGTH50TS65GC11 cena un izpildes laiks. Nantian Electronics — ntchip.com ir neatkarīgs elektronisko komponentu krājumu izplatītājs. Ar vairāk nekā 3 miljoniem pieejamo elektronisko komponentu rindu vienību var piegādāt īsā laikā, vairāk nekā 300 tūkstošiem elektronisko komponentu daļu numuru noliktavā tūlītējai piegādei, kas var ietvert daļas numuru. RGTH50TS65GC11. Cena un izpildes laiks par RGTH50TS65GC11 atkarībā no nepieciešamā daudzuma, pieejamības un noliktavas vietas. Sazinieties ar mums jau šodien, un mūsu tirdzniecības pārstāvis nodrošinās jums cenu un piegādi detaļai # RGTH50TS65GC11. Mēs ceram uz darījumu ar jums.

RGTH50TS65GC11 Related Products

RGTH60TS65DG

Krājumi : 600

Izziņa

RGTH60TS65D

Krājumi : 210

Izziņa

RGTH00TS65DG C11

Krājumi : 523

Izziņa

RGTH00TS65DGC11

Krājumi : 9

IGBT 650V 85A 277W TO-247N

Izziņa

RGTH00TS65GC11

Krājumi : 276

IGBT 650V 85A 277W TO-247N

Izziņa

RGTH80TS65DGC11

Krājumi : 7551

IGBT 650V 70A 234W TO-247N

Izziņa

RGTH60TS65GC11

Krājumi : 130

IGBT 650V 58A 197W TO-247N

Izziņa

RGTH80TS65GC11

Krājumi : 450

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Izziņa

RGTH40TS65DGC11

Krājumi : 6965

IGBT 650V 40A 144W TO-247N

Izziņa

Karstā izpārdošana

FZ1200R12KE3

Krājumi : 72

Infineon High Power IGBT Module Vces = 1200V IFRM = 2400A

Izziņa

FZ3600R17HE4

Krājumi : 31

IGBT Module 1.7 kV 3.6 kA 20 kW

Izziņa

MKL33Z256VLH4

Krājumi : 2400

MCU 32-bit ARM Cortex M0+ RISC 256KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V

Izziņa

M29W320DB70N6

Krājumi : 1560

NOR Flash 32Mbit 4M x 8/2M x 16 Parallel 2.7V to 3.6V 70ns 48-Pin TSOP T/R

Izziņa

SP-2G1+

Krājumi : 1630

RF Power Divider 1.2 GHz ~ 2 GHz Isolation (Min) 10dB, 1.5 VSWR (Typ)

Izziņa

IRFR7440TRPBF

Krājumi : 2000

Mosfet Transistor, N Channel, 90 A, 40 V, 0.0019 Ohm, 10 V

Izziņa

ISOW7842FDWER

Krājumi : 5440

Digital Isolator CMOS/LVCMOS 4-CH 100Mbps 16-Pin SOIC T/R

Izziņa

FZ2400R17HE4P_B9

Krājumi : 33

IGBT Power Module 1700 V and 2400 A

Izziņa

STM8S003F3P6TR

Krājumi : 35000

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP

Izziņa

HMC1021Z

Krājumi : 4325

SENSOR MAGMTR WHEAT BRDG 8SIP

Izziņa

AFT18H357-24SR6

Krājumi : 8733

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Izziņa

STM32F429IIH6

Krājumi : 2460

MCU 32-bit ARM Cortex M4 RISC 2MB Flash 2.5V/3.3V 201-Pin UFBGA Tray

Izziņa

Elektronisko detaļu indekss

Vairāk

# 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

We value your privacy

Our website uses cookies to ensure you are getting the best browsing experience, serve personalized content, and analyze our traffic.
By clicking "Accept Cookies", you consent to our use of cookies. Privacy Policy