Rīki | Ātrā saziņa | Cart |

Daļas numurs

info@ntchip.com

Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtain- ed from the product data sheet.

Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100DA60UP

Ražotājs Daļas numurs :	VS-GB100DA60UP
Ražotājs :	Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :	MODULE IGBT SOT-227
Statuss bez svina / RoHS statuss :	Lead free / RoHS Compliant
Datasheet :	VS-GB100DA60UP.PDF
EDA / CAD Models :	VS-GB100DA60UP by SnapEDA

Daudzums:

RFQ Add to RFQ List

Request for Quotation

*Kontakta vārds:

*Kompānijas nosaukums:

*E-pasts:

Valsts :

* Quantity

Piezīme :

Quick RFQ

Technical Parameters of VS-GB100DA60UP

IGBT Type:	-
Configuration:	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	600V
Current - Collector (Ic) (Max):	125A
Power - Max:	447W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:	2.8V @ 15V, 100A
Input Capacitance (Cies) @ Vce:	-
Input:	Standard
NTC Thermistor:	No
Mounting Type:	Chassis Mount
Package / Case:	SOT-227-4, miniBLOC
Supplier Device Package:	SOT-227

Produkta informācija

We can supply Vishay Semiconductor Diodes Division part# VS-GB100DA60UP, lai pieprasītu, izmantojiet piedāvājuma pieprasījuma veidlapu VS-GB100DA60UP cena un izpildes laiks. Nantian Electronics — ntchip.com ir neatkarīgs elektronisko komponentu krājumu izplatītājs. Ar vairāk nekā 3 miljoniem pieejamo elektronisko komponentu rindu vienību var piegādāt īsā laikā, vairāk nekā 300 tūkstošiem elektronisko komponentu daļu numuru noliktavā tūlītējai piegādei, kas var ietvert daļas numuru. VS-GB100DA60UP. Cena un izpildes laiks par VS-GB100DA60UP atkarībā no nepieciešamā daudzuma, pieejamības un noliktavas vietas. Sazinieties ar mums jau šodien, un mūsu tirdzniecības pārstāvis nodrošinās jums cenu un piegādi detaļai # VS-GB100DA60UP. Mēs ceram uz darījumu ar jums.

VS-GB100DA60UP Related Products

VS-GB75LA60UF

Krājumi : 8955

IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227

Izziņa

VS-GB200LH120N

Krājumi : 9365

IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK

Izziņa

VS-GP250SA60S

Krājumi : 6733

IGBT 600V 380A 893W SOT-227

Izziņa

VS-GB100TH120N

Krājumi : 9716

IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

Izziņa

VS-GT100TP120N

Krājumi : 8755

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

Izziņa

VS-GB150LH120N

Krājumi : 6513

IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK

Izziņa

VS-GB75YF120N

Krājumi : 6481

IGBT 1200V 100A 480W ECONO

Izziņa

VS-GA100TS120UPBF

Krājumi : 9700

IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK

Izziņa

VS-GT105LA120UX

Krājumi : 9344

IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227

Izziņa

Karstā izpārdošana

FF400R17KF6C_B2

Krājumi : 93

IGBT Module 650A 1.7kV

Izziņa

SKM200GB176D

Krājumi : 932

1.7Kv, 260A, Semitrans 3, Continuous Collector Current:260A, Collector Emitter Saturation Voltage:2.45V

Izziņa

CS5535-UDC

Krājumi : 1150

AMD IC COMPANION DEVICE 208PBGA

Izziņa

K4F8E304HB-MGCJ

Krājumi : 6240

LPDDR4 8Gb x32 3733 Mbps 1.1v 20

Izziņa

STF25N60M2-EP

Krājumi : 1000

MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP

Izziņa

TPS79301DBVR

Krājumi : 9000

V Reg, Ldo 0.2A Adj, Smd, Sot-23-6; Output Type:Adjustable;

Izziņa

MKL33Z256VLH4

Krājumi : 2400

MCU 32-bit ARM Cortex M0+ RISC 256KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V

Izziņa

FZ1200R12KE3

Krājumi : 72

Infineon High Power IGBT Module Vces = 1200V IFRM = 2400A

Izziņa

SKIIP82ANB15T10

Krājumi : 68

1500V Insulated Gate Bipolar Transistor

Izziņa

VSC8575XKS-14

Krājumi : 5470

IC Ethernet 256-PBGA (17x17) 4P Q/SGMII CU/FI 3E, 4NS IND GE

Izziņa

LCMXO1200C-3TN100C

Krājumi : 1050

IC FPGA 73 I/O 100TQFP

Izziņa

FZ1600R12KF4

Krājumi : 43

IGBT Modules 1200V 1600A

Izziņa

Elektronisko detaļu indekss

Vairāk

# 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

We value your privacy

Our website uses cookies to ensure you are getting the best browsing experience, serve personalized content, and analyze our traffic.
By clicking "Accept Cookies", you consent to our use of cookies. Privacy Policy