Rīki | Ātrā saziņa | Cart |
Language
America
Europe
Asia Pacific
Daļas numurs
Meklēt
info@ntchip.com
Visas kategorijas
Mājas / Produkti  /  Diskrēts pusvadītājs  /  FET — vienvietīgi  /  SI7170DP-T1-GE3
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtain- ed from the product data sheet.

Vishay Siliconix SI7170DP-T1-GE3

Ražotājs Daļas numurs : SI7170DP-T1-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Statuss bez svina / RoHS statuss : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : SI7170DP-T1-GE3.PDF SI7170DP-T1-GE3 PDF
EDA / CAD Models : SI7170DP-T1-GE3 by SnapEDA
Daudzums:
RFQAdd to RFQ List
287 295 2079326 http://www.vishay.com/docs/69981/si7170dp.pdf Vishay-Siliconix/SI7170DP-T1-GE3 2079326

Request for Quotation

Quick RFQ

Technical Parameters of SI7170DP-T1-GE3

Series:TrenchFET?
FET Type:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature:Standard
Drain to Source Voltage (Vdss):30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25～C:40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:2.6V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:4355pF @ 15V
Power - Max:48W
Operating Temperature:-55～C ~ 150～C (TJ)
Mounting Type:Surface Mount
Package / Case:PowerPAK? SO-8
Supplier Device Package:PowerPAK? SO-8

Produkta informācija

We can supply Vishay Siliconix part# SI7170DP-T1-GE3, lai pieprasītu, izmantojiet piedāvājuma pieprasījuma veidlapu SI7170DP-T1-GE3 cena un izpildes laiks. Nantian Electronics — ntchip.com ir neatkarīgs elektronisko komponentu krājumu izplatītājs. Ar vairāk nekā 3 miljoniem pieejamo elektronisko komponentu rindu vienību var piegādāt īsā laikā, vairāk nekā 300 tūkstošiem elektronisko komponentu daļu numuru noliktavā tūlītējai piegādei, kas var ietvert daļas numuru. SI7170DP-T1-GE3. Cena un izpildes laiks par SI7170DP-T1-GE3 atkarībā no nepieciešamā daudzuma, pieejamības un noliktavas vietas. Sazinieties ar mums jau šodien, un mūsu tirdzniecības pārstāvis nodrošinās jums cenu un piegādi detaļai # SI7170DP-T1-GE3. Mēs ceram uz darījumu ar jums.

SI7170DP-T1-GE3 Related Products

SI7196DP Image
SI7196DP
Krājumi : 152
Izziņa
SI7190DP Image
SI7190DP
Krājumi : 145
Izziņa
SI7172DP Image
SI7172DP
Krājumi : 66
Izziņa
SI7166DP-T1-GE3 Image
SI7166DP-T1-GE3
Krājumi : 6000
Izziņa
SI7164DP-T1-GE3 MOS Image
SI7164DP-T1-GE3 MOS
Krājumi : 156
Izziņa
SI7149DP-T1-GE3 MOS Image
SI7149DP-T1-GE3 MOS
Krājumi : 30000
Izziņa
SI7149DN Image
SI7149DN
Krājumi : 52
Izziņa
Si7139DP-T1-E3 Image
Si7139DP-T1-E3
Krājumi : 60
Izziņa
SI7136DP-T1-GE3 MOS Image
SI7136DP-T1-GE3 MOS
Krājumi : 500
Izziņa

Karstā izpārdošana

CLK120AA80 Image
CLK120AA80
Krājumi : 130
SANREX IGBT Module CLK120AA80
Izziņa
FF1200R12IE5 Image
FF1200R12IE5
Krājumi : 131
IGBT VCES = 1200V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
Izziņa
XC7A15T-2CSG324C Image
XC7A15T-2CSG324C
Krājumi : 1865
Fpga, Artix-7, 210I/O, Csbga-324 Rohs Compliant: Yes
Izziņa
LV25-P/SP5 Image
LV25-P/SP5
Krājumi : 2250
Nominal 10mA 4.2 kV (4 kV DC / 5 min)
Izziņa
FZ1200R12KE3 Image
FZ1200R12KE3
Krājumi : 72
Infineon High Power IGBT Module Vces = 1200V IFRM = 2400A
Izziņa
CXD4725GB Image
CXD4725GB
Krājumi : 120
Izziņa
FZ1200R33KF2C Image
FZ1200R33KF2C
Krājumi : 16
IGBT Modules 3300V 1200A | Triple Common Emitter Common Gate
Izziņa
RA30H3847M1-501 Image
RA30H3847M1-501
Krājumi : 118
MOSFET Transistors VDD=12.5V VGG=5V 50mW
Izziņa
HCNR201-500E Image
HCNR201-500E
Krājumi : 1566
OPTOISO 5KV LINEAR PHVOLT 8DIPGW
Izziņa
NHPM220T3G Image
NHPM220T3G
Krājumi : 12000
Puf 2A 200V In Powermite/Reel Rohs Compliant: Yes
Izziņa
IKW40N65ES5 Image
IKW40N65ES5
Krājumi : 986
High Speed Soft switching lGBT 650V 40A
Izziņa
CM75YE13-12F Image
CM75YE13-12F
Krājumi : 23
IGBT Module VCC = 300V IC = 75A
Izziņa
Elektronisko detaļu indekss
Vairāk
# 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
Trustpilot

We value your privacy

Our website uses cookies to ensure you are getting the best browsing experience, serve personalized content, and analyze our traffic.
By clicking "Accept Cookies", you consent to our use of cookies. Privacy Policy