FET — masīvi

FET — masīvi vai lauka efekta tranzistori masīvos ir diskrētu pusvadītāju izstrādājumu veids. Tie darbojas kā būtiska sastāvdaļa elektroniskajās ierīcēs, kontrolējot ierīču elektrisko uzvedību. FET masīva galvenā funkcija ir regulēt strāvas un sprieguma plūsmu ķēdē, ļaujot ierīcei darboties efektīvi. Katrs masīvs var sastāvēt no vairākiem FET, un konfigurāciju var īpaši izstrādāt, pamatojoties uz konkrētas lietojumprogrammas prasībām. Šie produkti ir paredzēti īpašiem lietojumiem, tostarp signālu apstrādei, sprieguma regulēšanai, signālu pastiprināšanai vai kā komutācijas ierīces, kas palīdz nodrošināt optimālu veiktspēju un efektivitāti.

FET — masīvus parasti izmanto dažādās nozarēs, sākot no plaša patēriņa elektronika un sakaru ierīces, atjaunojamās enerģijas sistēmas un automobiļu elektronika to uzticamības, augstās ieejas pretestības un zemo trokšņa īpašību dēļ. Daži no lielākajiem FET — Arrays ražotājiem ir tādi pasaulē pazīstami pusvadītāju uzņēmumi kā Toshiba, Texas Instruments, Infineon Technologies un NXP Semiconductors.

Search within results
Filter by Manufacturers
Apply
Attēls
Daļas numurs
Ražotājs
Apraksts
Izziņa
MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
RFQ
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
RFQ
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
RFQ
MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6
RFQ
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
RFQ
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8VSOF
RFQ
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8VSOF
RFQ
MOSFET 2N-CH 16V 0.1A SC-70
RFQ
MOSFET 2N-CH 20V 0.35A SC-70
RFQ
MOSFET 2P-CH 20V 0.25A SC-70
RFQ
MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-70
RFQ
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SC74-6
RFQ
MOSFET 2P-CH 30V 0.1A SC-59
RFQ
MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-59
RFQ
MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-59
RFQ
 
1 ... 5859606162 ... 70 Go to Page Go
Elektronisko detaļu indekss
Read More

We value your privacy

Our website uses cookies to ensure you are getting the best browsing experience, serve personalized content, and analyze our traffic.

By clicking "Accept Cookies", you consent to our use of cookies.

Privacy Policy