Izolēta vārtu bipolārais tranzistors (IGBT) ir pusvadītāju ierīce, ko plaši izmanto jaudas elektronikā. Tas apvieno MOSFET vienkāršos vārtu piedziņas raksturlielumus ar bipolāro tranzistoru augstas strāvas un zema piesātinājuma sprieguma spēju. IGBT galvenokārt izmanto, lai pārslēgtu elektroenerģiju daudzās modernās ierīcēs, sākot no elektriskajām automašīnām un beidzot ar gaisa kondicionieriem, kur efektīvai enerģijas pārveidei ir izšķiroša nozīme. Tie ir iecienīti, jo tie spēj izturēt augstu spriegumu un strāvu ar salīdzinoši zemu vārtu piedziņas jaudu.
Galvenais IGBT lietojums ietver mainīgas frekvences piedziņas (VFD), elektrisko transportlīdzekļu motoru kontrolierus un atjaunojamās enerģijas invertorus. , jo īpaši saules un vēja enerģijas sistēmās. Tie tiek novērtēti to efektivitātes dēļ, kas palīdz samazināt siltuma veidošanos un uzlabot elektronisko sistēmu uzticamību. Galvenās īpašības ietver augstu efektivitāti, robustumu un spēju darboties augstās frekvencēs. Ievērojami IGBT ražotāji ir Infineon, Toshiba un Fuji Electric.