Tranzistori — IGBT — moduļi ir uzlaboti elektroniski komponenti, ko izmanto, lai efektīvi pārslēgtu un pastiprinātu elektrisko jaudu plašā lietojumu klāstā. IGBT, kas apzīmē Insulated Gate Bipolar Transistor, ir jaudas tranzistoru veids, kas apvieno lauka efekta tranzistora (FET) vienkāršību ar bipolārā tranzistora augstas strāvas un zema piesātinājuma sprieguma spēju. IGBT modulis ir integrēta vienība, kas ietver IGBT, kā arī brīvgaitas diodes, kas ir nepieciešamas veiktspējai un uzticamībai. Šie moduļi galvenokārt darbojas, lai kontrolētu un efektīvi pārveidotu elektroenerģiju elektriskajos transportlīdzekļos, rūpnieciskajos motoros, elektrotīklos un atjaunojamās enerģijas sistēmās, piemēram, saules paneļu invertoros.
Tranzistoru galvenie raksturlielumi — IGBT — moduļi ietver augstu efektivitāti. , ātri pārslēgšanās ātrumi un spēja apstrādāt lielu spriegumu un strāvu. Šie atribūti padara tos ļoti svarīgus lietojumos, kuros nepieciešams augsts jaudas blīvums un energoefektivitāte, piemēram, elektriskajos automobiļos, kur tie pārvalda elektrisko enerģiju starp akumulatoru un motoru. Augstā pārslēgšanas frekvence nodrošina arī kompaktas un vieglas jaudas elektronikas konstrukcijas. Starp slavenajiem tranzistoru ražotājiem — IGBT moduļi, cita starpā ietilpst Infineon Technologies, Fuji Electric, ON Semiconductor un Mitsubishi Electric.