IGBT-er (Insulated-Gate Bipolar Transistors) - Arrays er en rekke krafthalvlederenheter som fungerer som kritiske komponenter i en rekke elektroniske systemer. Disse enhetene brukes hovedsakelig til å bytte elektrisk kraft i en array-konfigurasjon, noe som muliggjør høy effektivitet og rask veksling. Den unike strukturen til IGBT-er lar dem kombinere fordelene med høyspente bipolare transistorer og MOSFET-er, og tilbyr lavt effekttap og høy byttehastighet. Disse enhetene egner seg til ulike bruksområder, inkludert motordrev, strømforsyningsenheter og fornybare energisystemer, blant andre. De er spesielt utviklet for å håndtere betydelige strømnivåer og effektivt slå av og på raskt, og tilbyr høyspenningskapasitet og forbedret energieffektivitet.

IGBT-er – Arrays har forskjellige bruksområder, gitt deres iboende egenskaper med høy inngangsimpedans, lavt spenningsfall i tilstanden og raske svitsjingsmuligheter. Innenfor industrielle applikasjoner brukes de ofte i frekvensomformere med variabel frekvens, induktiv oppvarming, magnetisk levitasjon og skinnetrekk, blant annet. Noen fremtredende produsenter av IGBT-er - Arrays inkluderer Infineon, Toshiba, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor og Texas Instruments. IGBT-er - Arrays er preget av deres robusthet, holdbarhet og effektivitet, noe som gjør dem uunnværlige for elektroniske systemer med høy effekt.