Transistorer - FET-er, MOSFET-er - RF er spesialiserte elektroniske komponenter designet for å håndtere høyfrekvente signaler som vanligvis finnes i radiofrekvensapplikasjoner (RF). Disse transistorene fungerer ved å bruke et elektrisk felt for å kontrollere formen og dermed ledningsevnen til en 'kanal' i et halvledermateriale, slik at de kan forsterke eller bytte elektroniske signaler. Hovedfunksjonen til RF MOSFET-er er å modulere, forsterke og bytte signaler i enheter som opererer i radiofrekvensspekteret, fra noen få megahertz til flere gigahertz. Deres raske byttehastigheter og høye effektivitet gjør dem ideelle for trådløs kommunikasjon, radarsystemer, kringkastingssendere og RF-effektforsterkere.
Disse transistorene er karakterisert ved deres evne til å operere ved høye frekvenser, med minimalt effekttap og en høy inngangsimpedans, noe som gjør dem svært følsomme for inngangssignaler. I tillegg tilbyr de høy effektivitet, noe som er avgjørende i RF-applikasjoner der strømsparing er avgjørende. Hovedbruken av RF MOSFET-er spenner over ulike sektorer, inkludert telekommunikasjon, hvor de er sentrale for å muliggjøre mobil- og satellittkommunikasjon, militærutstyr for sikker og pålitelig kommunikasjon, forbrukerelektronikk som radioer og GPS-enheter, og i industrielle applikasjoner for fjernmåling og telemetri. Kjente produsenter av transistorer - FET-er, MOSFET-er - RF inkluderer Infineon, NXP Semiconductors, Cree (Wolfspeed), Analog Devices Inc. og Qorvo.