STMicroelectronics Транзисторы (BJT) - одиночные

Изображение
номер части
Производитель
Описание
Расследование
N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2.
Расследование
DIODE GEN PURP 600V 50A TO247
Расследование
DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3
Расследование
MOSFET N-CH 1700V 2.6A
Расследование
IGBT 600V 80A 283W TO247
Расследование
MOSFET N-CH 600V 24A
Расследование
MOSFET N CH 800V 14A TO-220
Расследование
MOSFET N-CH 600V 28A
Расследование
MOSFET N-CH 600V 28A
Расследование
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
Расследование
MOSFET N-CH 800V 16A
Расследование
MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
Расследование
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A DOP3I
Расследование
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC
Расследование
FET RF 25V 870MHZ
Расследование
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Расследование
MOSFET N-CH 600V 34A
Расследование
MOSFET N-CH 800V 16A
Расследование
MOSFET N-CH 1050V 6A TO-247
Расследование
MOSFET N-CH 600V 21A
Расследование
MOSFET N-CH 600V 21A
Расследование
MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP
Расследование
MOSFET N-CH 600V 28A
Расследование
MOSFET N-CH 600V 28A
Расследование
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Расследование
DIODE GEN PURP 1KV 30A DO247-2
Расследование
MOSFET N-CH 600V 21A
Расследование
MOSFET N-CH 600V 34A
Расследование
DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Расследование
DIODE GEN PURP 600V 60A DO247
Расследование
1 ... 5051525354 ... 62 Go to Page Go
Указатель электронных деталей
Read More

We value your privacy

Our website uses cookies to ensure you are getting the best browsing experience, serve personalized content, and analyze our traffic.

By clicking "Accept Cookies", you consent to our use of cookies.

Privacy Policy