IGBT — одиночные или биполярные транзисторы с одинарным изолированным затвором — это тип силового электронного устройства, который обычно используется во многих типах электронного оборудования. Эти дискретные полупроводники служат важнейшим компонентом в переключающих приложениях, где они могут включать или выключать поток электрического тока. Их основная функция заключается в управлении электрической мощностью путем сочетания простых характеристик затвора-привода МОП-транзисторов (металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов) с возможностью сильного тока и низкого напряжения насыщения биполярных транзисторов. Благодаря своей уникальной структуре они обладают высоким входным сопротивлением, легкостью управления, высокой скоростью переключения и надежностью, а также другими характеристиками.
IGBT - Single особенно подходят для приложений, требующих высокого напряжения и большого тока, таких как в качестве блоков питания, инверторов в кондиционерах и приводов электродвигателей. Эти устройства также можно найти в других конкретных приложениях, таких как системы возобновляемых источников энергии, электромобили и поезда. К основным характеристикам IGBT-Single относятся высокий КПД, превосходные тепловые характеристики и способность работать на высоких частотах. Ряд производителей, таких как Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics и Toshiba, специализируются на производстве IGBT-Single, предлагая широкий спектр опций для удовлетворения различных спецификаций и эксплуатационных требований.