Транзисторы — биполярные (BJT) — одиночные, с предварительным смещением — это особая категория электронных компонентов, которые представляют собой гибрид стандартного биполярного переходного транзистора (BJT) и дополнительных встроенных резисторов. Эти транзисторы служат фундаментальными строительными блоками в электронных схемах, выполняя такие ключевые функции, как усиление, переключение и модуляция сигнала. Основным преимуществом транзисторов с предварительным смещением является их простота использования, поскольку они содержат внутренние резисторы, которые определяют ток базы, что исключает необходимость во внешних компонентах смещения. Это упрощает проектирование схемы и помогает уменьшить общую площадь печатных плат. Благодаря предустановленному смещению они обеспечивают стабильную производительность, что делает их идеальными для электронных устройств массового производства.
Основное применение этих транзисторов с предварительным смещением можно найти в различных приложениях, включая бытовую электронику, автомобильные модули и промышленные системы управления. Характеристики, которые делают их широко применимыми, включают низкое напряжение насыщения, высокий коэффициент усиления по току и стабильную работу в широком диапазоне условий окружающей среды. Являясь ключевыми компонентами усиления и коммутации, они используются в самых разных приложениях: от управления питанием до обработки сигналов. Производителями транзисторов этого типа являются известные компании-производители электронных компонентов, такие как ON Semiconductor, Infineon Technologies, STMicroelectronics, NXP Semiconductors и Toshiba.