Transistorer - Bipolära (BJT) - RF är en klass av halvledarenheter specialiserade för radiofrekvenstillämpningar (RF). Dessa komponenter är i huvudsak elektroniska omkopplare eller förstärkare som effektivt kan styra och modulera högfrekventa signaler, vilket är grunden för moderna kommunikationssystem. Deras kärnfunktion är att förstärka kraften hos RF-signaler, vilket gör dem starka nog att överföra data över långa avstånd utan betydande förlust av information. På grund av sin högfrekventa funktion och förmåga att hantera krafter som är större än andra typer av transistorer, är de kritiska i sändningar, trådlös kommunikation och olika former av radar och navigationssystem.
De huvudsakliga användningsområdena för bipolär RF junction transistorer (BJT) inkluderar roller i förstärkare inom mobiltelefoner, satellitkommunikation och radiosändtagare. De är prisade för sin förmåga att ge hög förstärkning, lågt brus och snabba omkopplingshastigheter som är nödvändiga för att bibehålla signalintegriteten i dessa applikationer. Nyckelegenskaper som hög linjäritet – vilket säkerställer att signaler förstärks utan distorsion – och termisk stabilitet, som gör att enheten kan förbli funktionell över ett brett temperaturområde, framhäver deras robusta prestanda i utmanande miljöer. Flera tillverkare kända för att producera transistorer - Bipolära (BJT) - RF inkluderar bland annat NXP Semiconductors, Infineon Technologies, Microsemi Corporation och STMicroelectronics.