Инструменти | Бърз контакт | Cart |

[email protected]

< >

Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtain- ed from the product data sheet.

STMicroelectronics PD20010-E

Name: PD20010-E
Brand: STMicroelectronics
SKU: PD20010-E
Rating: 4.0 (1 reviews)

производител Номер на частта :	PD20010-E
производител :	STMicroelectronics
Описание :	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Статус без олово / RoHS статус :	Lead free / RoHS Compliant
Datasheet :	PD20010-E.PDF
EDA / CAD Models :	PD20010-E by SnapEDA
Stock Condition :	In Stock 1, New Original

Количество:

RFQ Add to RFQ List

Delivery:

Payment:

Request for Quotation

*име за контакт:

*Име на фирмата:

*електронна поща:

Държава :

* Quantity

Забележка :

Please fil the form and we'll get back to you within 24 hours.

Quick RFQ

Технически параметри на PD20010-E

Series:	-
Diode Configuration:	LDMOS
Diode Type:	2GHz
FET Type:	13.6V
IGBT Type:	5A
Structure:	11dB
Transistor Type:	-
Triac Type:	150mA
Type:	10W
Voltage:	40V
Voltage - Breakover:	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Voltage - Off State:	PowerSO-10RF (Formed Lead)
Voltage - Zener (Nom) (Vz):

информация за продукта

We can supply STMicroelectronics part# PD20010-E, използвайте формуляра за заявка на оферта, за да поискате PD20010-E цена и време за изпълнение. Nantian Electronics - ntchip.com е независим дистрибутор на електронни компоненти. С 3+ милиона артикула от налични електронни компоненти могат да бъдат доставени в кратки срокове, над 300 хиляди номера на части на електронни компоненти на склад за незабавна доставка, което може да включва номер на част PD20010-E. Цената и времето за изпълнение на PD20010-E в зависимост от необходимото количество, наличност и местоположение на склада. Свържете се с нас днес и нашият търговски представител ще ви осигури цена и доставка на част # PD20010-E. Очакваме с нетърпение да правим бизнес с вас.