Tranzistory – FET, MOSFET – RF jsou specializované elektronické součástky navržené ke zpracování vysokofrekvenčních signálů, které se obvykle vyskytují v aplikacích využívajících rádiové frekvence (RF). Tyto tranzistory fungují pomocí elektrického pole k řízení tvaru a tím i vodivosti „kanálu“ v polovodičovém materiálu, což jim umožňuje zesilovat nebo přepínat elektronické signály. Hlavní funkcí RF MOSFETů je modulovat, zesilovat a přepínat signály v zařízeních, která pracují v rádiovém frekvenčním spektru, v rozsahu od několika megahertzů po několik gigahertzů. Jejich rychlé spínací rychlosti a vysoká účinnost je činí ideálními pro bezdrátovou komunikaci, radarové systémy, vysílací vysílače a vysokofrekvenční výkonové zesilovače.
Tyto tranzistory se vyznačují schopností pracovat na vysokých frekvencích s minimální ztrátou výkonu a vysoká vstupní impedance, díky čemuž jsou velmi citlivé na vstupní signály. Kromě toho nabízejí vysokou účinnost, což je zásadní v RF aplikacích, kde je zásadní úspora energie. Hlavní použití RF MOSFET pokrývá různá odvětví včetně telekomunikací, kde jsou klíčové pro umožnění celulární a satelitní komunikace, vojenského vybavení pro bezpečnou a spolehlivou komunikaci, spotřební elektroniky, jako jsou rádia a GPS zařízení, a v průmyslových aplikacích pro vzdálený průzkum a telemetrii. Mezi významné výrobce tranzistorů – FET, MOSFET – RF patří Infineon, NXP Semiconductors, Cree (Wolfspeed), Analog Devices Inc. a Qorvo.