IGBT'er - Single eller Single Insulated-Gate Bipolar Transistorer, er en type kraftelektronisk enhed, der almindeligvis anvendes i mange typer elektronisk udstyr. Disse diskrete halvledere tjener som en afgørende komponent i at skifte applikationer, hvor de kan tænde eller slukke for strømmen af elektrisk strøm. Deres hovedfunktion er at styre elektrisk strøm ved at kombinere de simple gate-drive-karakteristika for MOSFET'er (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors) med bipolære transistorers højstrøms- og lavmætningsspændingsevne. På grund af deres unikke struktur udviser de blandt andet høj indgangsimpedans, nem kørsel, hurtig omskiftningshastighed og robusthed.
IGBT'er - Single er særligt velegnede til applikationer, der kræver høj spænding og høj strøm, f.eks. som strømforsyningsenheder, invertere i klimaanlæg og elektriske motordrev. Disse enheder kan også findes i andre specifikke applikationer som vedvarende energisystemer, elektriske køretøjer og tog. De vigtigste egenskaber ved IGBT'er - Single inkluderer høj effektivitet, fremragende termisk ydeevne og evnen til at arbejde ved høje frekvenser. En række producenter, såsom Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics og Toshiba, specialiserer sig i produktion af IGBT'er - Single, og tilbyder en bred vifte af muligheder for at opfylde forskellige specifikationer og driftskrav.