DMJ70H1D3SI3 - Stock, Datasheet & Price

Diodes Incorporated DMJ70H1D3SI3

Valmistaja Osa numero :	DMJ70H1D3SI3
Valmistaja :	Diodes Incorporated
Kuvaus :	MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Lyijytön tila / RoHS-tila :	Lead free / RoHS Compliant
Datasheet :	DMJ70H1D3SI3.PDF
Download Datasheet :	DMJ70H1D3SI3 Details.PDF
EDA / CAD Models :	DMJ70H1D3SI3 by SnapEDA

Technical Parameters of DMJ70H1D3SI3

Series:	-
FET Type:	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature:	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss):	700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25～C:	4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:	4V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:	13.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:	351pF @ 50V
Power - Max:	41W
Operating Temperature:	-55～C ~ 150～C (TJ)
Mounting Type:	Through Hole
Package / Case:	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Supplier Device Package:	TO-251

tuotteen yksityiskohdat

We can supply Diodes Incorporated part# DMJ70H1D3SI3, käytä tarjouspyyntölomaketta DMJ70H1D3SI3 hinta ja toimitusaika. Nantian Electronics - ntchip.com on riippumaton elektronisten komponenttien varastojakelija. Yli 3 miljoonan valikoiman elektronisia komponentteja voidaan toimittaa lyhyessä toimitusajassa, yli 300 tuhatta osanumeroa elektronisia komponentteja varastossa välittömästi toimitettavaksi, mukaan lukien osanumero DMJ70H1D3SI3. Hinta ja toimitusaika DMJ70H1D3SI3 riippuen tarvittavasta määrästä, saatavuudesta ja varaston sijainnista. Ota meihin yhteyttä jo tänään, niin myyntiedustajamme toimittaa sinulle hinnan ja toimituksen osalle # DMJ70H1D3SI3. Odotamme innolla liiketoimintaa kanssasi.

Diodes Incorporated DMJ70H1D3SI3

Technical Parameters of DMJ70H1D3SI3

tuotteen yksityiskohdat

DMJ70H1D3SI3 Related Products

Kuuma myynti

We value your privacy