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Infineon Technologies BSO303PNTMA1

メーカー 部品番号 : BSO303PNTMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
鉛フリーステータス / RoHS ステータス : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : BSO303PNTMA1.PDF BSO303PNTMA1 PDF
EDA / CAD Models : BSO303PNTMA1 by SnapEDA
287 294 1626804 //media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Infineon%20PDFs/BSO303P.pdf Infineon-Technologies/BSO303PNTMA1 1626804

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Technical Parameters of BSO303PNTMA1

Series:OptiMOS?
FET Type:2 P-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss):30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25~C:8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:21 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:2V @ 100米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:72.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:1761pF @ 25V
Power - Max:2W
Operating Temperature:-55~C ~ 150~C (TJ)
Mounting Type:Surface Mount
Package / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package:P-DSO-8

製品詳細

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