General Semiconductor/Vishay

GeneSiC Semiconductor yra pagrindinis silicio karbido (SiC) galios puslaidininkių pasaulio novatorius. Įmonė buvo įkurta 2004 m., jos būstinė yra Fairfax mieste, Virdžinijoje, JAV. Įmonės įkūrimas buvo svarbus žingsnis technologijų pramonėje, skelbęs silicio karbido puslaidininkių erą, kuri nuo tada padarė revoliuciją daugelyje sektorių savo pranašesnėmis eksploatacinėmis savybėmis, palyginti su tradiciniais silicio puslaidininkiais.

Pradžioje „GeneSiC Semiconductor“ daugiausia dėmesio skyrė aukštos kokybės, patikimų ir technologiškai pažangių galios puslaidininkių kūrimui. Bėgant metams įmonė gerokai išplėtė savo produktų portfelį. Dabar jis siūlo platų įrenginių asortimentą, įskaitant Schottky diodus, tiristorius ir silicio valdomus lygintuvus (SCR). Kiekviena iš šių produktų kategorijų atstovauja naujausioms puslaidininkių technologijoms, sukurtoms patenkinti besikeičiančius galios elektronikos pramonės poreikius. „GeneSiC“ sprendimai yra dinamiškai sukurti, kad įvairiose srityse būtų išskirtiniai rezultatai, pradedant aviacija ir baigiant atsinaujinančia energija.

• Schottky diodai: jie žinomi dėl didelio efektyvumo ir greito perjungimo. greitis. Jie plačiai naudojami maitinimo tiekimo ir konversijos srityse.
• Tiristoriai: tiristoriai yra puslaidininkiniai jungikliai, garsėjantys gebėjimu valdyti aukštos įtampos ir srovės lygius. Jie naudojami įvairiose galios elektronikos srityse.
• Silicio valdomi lygintuvai (SCR): SCR yra trijų jungčių PNPN įrenginiai, pirmiausia naudojami maitinimui valdyti ir ištaisyti. Jie daugiausia naudojami variklio valdymo ir galios perjungimo sistemose.