Tranzistoriai – FET, MOSFET – RF yra specializuoti elektroniniai komponentai, skirti apdoroti aukšto dažnio signalus, paprastai sutinkamus radijo dažnių (RF) programose. Šie tranzistoriai veikia naudodami elektrinį lauką, kad valdytų puslaidininkinėje medžiagoje esančio „kanalo“ formą, taigi ir laidumą, todėl jie gali sustiprinti arba perjungti elektroninius signalus. Pagrindinė RF MOSFET funkcija yra moduliuoti, stiprinti ir perjungti signalus įrenginiuose, kurie veikia radijo dažnių spektre, nuo kelių megahercų iki kelių gigahercų. Dėl greito perjungimo greičio ir didelio efektyvumo jie idealiai tinka belaidžiam ryšiui, radarų sistemoms, transliavimo siųstuvams ir RF galios stiprintuvams.
Šie tranzistoriai pasižymi gebėjimu veikti aukštais dažniais, minimaliais energijos nuostoliais ir didelė įvesties varža, todėl jie labai jautrūs įvesties signalams. Be to, jie pasižymi dideliu efektyvumu, o tai labai svarbu radijo dažnių programose, kur energijos taupymas yra būtinas. Pagrindiniai RF MOSFET naudojimo būdai apima įvairius sektorius, įskaitant telekomunikacijas, kur jie yra labai svarbūs užtikrinant korinį ir palydovinį ryšį, karinę įrangą saugiam ir patikimam ryšiui, plataus vartojimo elektroniką, pvz., radijo ir GPS įrenginius, ir pramoninius nuotolinio stebėjimo ir telemetrijos įrenginius. Žymūs tranzistorių – FET, MOSFET – RF gamintojai yra Infineon, NXP Semiconductors, Cree (Wolfspeed), Analog Devices Inc. ir Qorvo.