Rīki | Ātrā saziņa | Cart |
Language
America
Europe
Asia Pacific
Daļas numurs
Meklēt
info@ntchip.com
Visas kategorijas
Mājas / Produkti  /  Diskrēts pusvadītājs  /  IGBT — vientuļi  /  IHY30N160R2XKSA1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtain- ed from the product data sheet.

Infineon Technologies IHY30N160R2XKSA1

Ražotājs Daļas numurs : IHY30N160R2XKSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : IGBT 1600V 30A 312W TO247HC-3
Statuss bez svina / RoHS statuss : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : IHY30N160R2XKSA1.PDF IHY30N160R2XKSA1 PDF
EDA / CAD Models : IHY30N160R2XKSA1 by SnapEDA
Daudzums:
RFQAdd to RFQ List
287 298 2102994 //media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Infineon%20PDFs/IHY30N160R2.pdf Infineon-Technologies/IHY30N160R2XKSA1 2102994

Request for Quotation

Quick RFQ

Technical Parameters of IHY30N160R2XKSA1

Series:TrenchStop?
IGBT Type:NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):1600V
Current - Collector (Ic) (Max):60A
Current - Collector Pulsed (Icm):90A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 30A
Power - Max:312W
Switching Energy:2.53mJ
Input Type:Standard
Gate Charge:94nC
Td (on/off) @ 25～C:-/525ns
Test Condition:600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr):-
Package / Case:TO-247-3 Variant
Mounting Type:Through Hole
Supplier Device Package:PG-TO247HC-3

Produkta informācija

We can supply Infineon Technologies part# IHY30N160R2XKSA1, lai pieprasītu, izmantojiet piedāvājuma pieprasījuma veidlapu IHY30N160R2XKSA1 cena un izpildes laiks. Nantian Electronics — ntchip.com ir neatkarīgs elektronisko komponentu krājumu izplatītājs. Ar vairāk nekā 3 miljoniem pieejamo elektronisko komponentu rindu vienību var piegādāt īsā laikā, vairāk nekā 300 tūkstošiem elektronisko komponentu daļu numuru noliktavā tūlītējai piegādei, kas var ietvert daļas numuru. IHY30N160R2XKSA1. Cena un izpildes laiks par IHY30N160R2XKSA1 atkarībā no nepieciešamā daudzuma, pieejamības un noliktavas vietas. Sazinieties ar mums jau šodien, un mūsu tirdzniecības pārstāvis nodrošinās jums cenu un piegādi detaļai # IHY30N160R2XKSA1. Mēs ceram uz darījumu ar jums.

IHY30N160R2XKSA1 Related Products

IHY30N160R2XKSA1 Image
IHY30N160R2XKSA1
Krājumi : 9090
IGBT 1600V 30A 312W TO247HC-3
Izziņa
IHY30N160R2XKSA1 Image
IHY30N160R2XKSA1
Krājumi : 280
IGBT 1600V 30A 312W TO247HC-3
Izziņa

Karstā izpārdošana

DS2E-M-DC24V Image
DS2E-M-DC24V
Krājumi : 760
RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 24V
Izziņa
DFM1200EXM12-A000 Image
DFM1200EXM12-A000
Krājumi : 24
Fast Recovery Diode Module 1200V 2400A
Izziņa
ISOW7842FDWER Image
ISOW7842FDWER
Krājumi : 5440
Digital Isolator CMOS/LVCMOS 4-CH 100Mbps 16-Pin SOIC T/R
Izziņa
FZ1800R16KF4 Image
FZ1800R16KF4
Krājumi : 100
IGBT Module 1.6 kV 1.8 kA
Izziņa
SA529430-02 Image
SA529430-02
Krājumi : 43
Niec IGBT Module
Izziņa
TLP352(TP1,F) Image
TLP352(TP1,F)
Krājumi : 9557
Optocoupler Drive Totem-Pole 1-CH 30V 1000V 8-Pin PDIP SMD T/R 3750Vrms
Izziņa
IRLR024NTRLPBF Image
IRLR024NTRLPBF
Krājumi : 3000
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Izziņa
LMS8117ADTX-3.3/NOPB Image
LMS8117ADTX-3.3/NOPB
Krājumi : 2209
IC REG LINEAR 3.3V 1A TO252-3
Izziņa
DS2E-ML2-DC24V Image
DS2E-ML2-DC24V
Krājumi : 6350
RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 24V
Izziņa
DTC143TS Image
DTC143TS
Krājumi : 48000
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA
Izziņa
DAC8812IBPW Image
DAC8812IBPW
Krājumi : 1660
IC DAC 16BIT DUAL MULT 16-TSSOP
Izziņa
SPC5745CBK1AMMJ6 Image
SPC5745CBK1AMMJ6
Krājumi : 32020
DUAL CORE, 2M FLASH, 256 - Trays (Alt: SPC5745CBK1AMMJ6)
Izziņa
Elektronisko detaļu indekss
Vairāk
# 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
Trustpilot

We value your privacy

Our website uses cookies to ensure you are getting the best browsing experience, serve personalized content, and analyze our traffic.
By clicking "Accept Cookies", you consent to our use of cookies. Privacy Policy