IGBT — viena vai viena izolēta vārtu bipolāri tranzistori ir jaudas elektronisko ierīču veids, ko parasti izmanto daudzu veidu elektroniskajās iekārtās. Šie diskrētie pusvadītāji kalpo kā būtiska sastāvdaļa komutācijas lietojumprogrammās, kur tie var ieslēgt vai izslēgt elektriskās strāvas plūsmu. To galvenā funkcija ir kontrolēt elektrisko jaudu, apvienojot MOSFET (metāla oksīda pusvadītāju lauka efekta tranzistoru) vienkāršās vārtu piedziņas raksturlielumus ar bipolāro tranzistoru augstas strāvas un zema piesātinājuma sprieguma spēju. Pateicoties to unikālajai struktūrai, tiem ir augsta ieejas pretestība, viegla piedziņa, ātrs pārslēgšanas ātrums un robustums, kā arī citas funkcijas.
IGBT — Single ir īpaši piemēroti lietojumiem, kuriem nepieciešams augsts spriegums un liela strāva, piemēram, kā barošanas bloki, invertori gaisa kondicionieros un elektromotoru piedziņas. Šīs ierīces var atrast arī citos specifiskos lietojumos, piemēram, atjaunojamās enerģijas sistēmās, elektriskajos transportlīdzekļos un vilcienos. IGBT — Single galvenās īpašības ietver augstu efektivitāti, izcilu termisko veiktspēju un spēju strādāt augstās frekvencēs. Vairāki ražotāji, piemēram, Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics un Toshiba, specializējas IGBT — Single ražošanā, piedāvājot plašu iespēju klāstu, lai nodrošinātu atbilstību dažādām specifikācijām un darbības prasībām.
