Hjem / Produkter  /  Diskret halvleder  /  Transistorer (BJT) - Single  /  1N5619
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtain- ed from the product data sheet.

Microsemi Corporation 1N5619

Produsent Delenummer : 1N5619
Produsent : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Blyfri status / RoHS-status : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : 1N5619.PDF 1N5619 PDF
Download Datasheet : 1N5619 Details.PDF 1N5619 PDF
EDA / CAD Models : 1N5619 by SnapEDA
287 309 2198121 Microsemi-Corporation/1N5619 2198121

Request for Quotation

Technical Parameters of 1N5619

Series:-
Diode Configuration:Standard
Diode Type:600V
FET Type:1A
IGBT Type:1.6V @ 3A
Structure:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Transistor Type:250ns
Triac Type:500nA @ 600V
Type:25pF @ 12V, 1MHz
Voltage:Through Hole
Voltage - Breakover:-65~C ~ 175~C
Voltage - Off State:A, Axial
Voltage - Zener (Nom) (Vz):*

produkt detaljer

We can supply Microsemi Corporation part# 1N5619, bruk tilbudsforespørselsskjemaet for å be om 1N5619 pirce og ledetid. Nantian Electronics - ntchip.com er en uavhengig lagerdistributør av elektroniske komponenter. Med 3+ millioner artikler av tilgjengelige elektroniske komponenter kan sendes på kort leveringstid, over 300 tusen delenummer av elektroniske komponenter på lager for umiddelbart levering, som kan inkludere delenummer 1N5619. Pris og leveringstid for 1N5619 avhengig av nødvendig mengde, tilgjengelighet og lagerplassering. Kontakt oss i dag og vår salgsrepresentant vil gi deg pris og levering på del # 1N5619. Vi ser frem til å gjøre forretninger med deg.

1N5619 Related Products

Hot Salg

Elektronisk deleindeks
Mer
# 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

We value your privacy

Our website uses cookies to ensure you are getting the best browsing experience, serve personalized content, and analyze our traffic.
By clicking "Accept Cookies", you consent to our use of cookies. Privacy Policy