Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT) to urządzenie półprzewodnikowe szeroko stosowane w energoelektronice. Łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki tranzystorów MOSFET z możliwością pracy przy wysokim prądzie i niskim napięciu nasycenia tranzystorów bipolarnych. Tranzystory IGBT są używane głównie do przełączania zasilania elektrycznego w wielu nowoczesnych urządzeniach, od samochodów elektrycznych po klimatyzatory, gdzie kluczowa jest wydajna konwersja energii. Są preferowane ze względu na zdolność do radzenia sobie z wysokimi napięciami i prądami przy stosunkowo małej mocy napędu bramki.
Główne zastosowania tranzystorów IGBT obejmują napędy o zmiennej częstotliwości (VFD), sterowniki silników pojazdów elektrycznych i falowniki energii odnawialnej zwłaszcza w systemach energii słonecznej i wiatrowej. Cenione są za swoją wydajność, która pomaga zminimalizować wytwarzanie ciepła i zwiększyć niezawodność systemów elektronicznych. Kluczowe cechy obejmują wysoką wydajność, solidność i zdolność do pracy przy wysokich częstotliwościach. Do wybitnych producentów IGBT należą Infineon, Toshiba i Fuji Electric.