IGBT — tranzystory bipolarne z pojedynczą lub pojedynczą izolowaną bramką to rodzaj urządzeń energoelektronicznych powszechnie stosowanych w wielu typach sprzętu elektronicznego. Te dyskretne półprzewodniki służą jako kluczowy element w zastosowaniach przełączających, gdzie mogą włączać i wyłączać przepływ prądu elektrycznego. Ich główną funkcją jest sterowanie mocą elektryczną poprzez połączenie prostych właściwości napędu bramki tranzystorów MOSFET (tranzystory polowe z tlenkiem metalu i półprzewodnikami) z możliwością pracy przy wysokim prądzie i niskim napięciu nasycenia tranzystorów bipolarnych. Ze względu na swoją unikalną strukturę charakteryzują się między innymi wysoką impedancją wejściową, łatwym napędem, dużą szybkością przełączania i wytrzymałością.
IGBT — pojedyncze nadają się szczególnie do zastosowań wymagających wysokiego napięcia i dużego prądu, np. jako zasilacze, falowniki w klimatyzatorach, napędy silników elektrycznych. Urządzenia te można również znaleźć w innych specyficznych zastosowaniach, takich jak systemy energii odnawialnej, pojazdy elektryczne i pociągi. Główne cechy tranzystorów IGBT - Single obejmują wysoką wydajność, doskonałą wydajność cieplną i zdolność do pracy przy wysokich częstotliwościach. Wielu producentów, takich jak Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics i Toshiba, specjalizuje się w produkcji pojedynczych tranzystorów IGBT, oferując szeroką gamę opcji w celu spełnienia różnych specyfikacji i wymagań operacyjnych.