Tranzystory — moduły IGBT — to zaawansowane komponenty elektroniczne wykorzystywane do wydajnego przełączania i wzmacniania mocy elektrycznej w szerokim zakresie zastosowań. IGBT, czyli tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, to rodzaj tranzystora mocy, który łączy w sobie prostotę tranzystora polowego (FET) z możliwościami tranzystora bipolarnego w zakresie wysokiego prądu i niskiego napięcia nasycenia. Moduł IGBT to zintegrowana jednostka zawierająca IGBT oraz diody gaszące, które są niezbędne do zapewnienia wydajności i niezawodności. Moduły te służą głównie do kontrolowania i wydajnego przetwarzania energii elektrycznej w pojazdach elektrycznych, silnikach przemysłowych, sieciach energetycznych i systemach energii odnawialnej, takich jak falowniki do paneli słonecznych.
Główne cechy tranzystorów – modułów IGBT – obejmują wysoką wydajność , duże prędkości przełączania oraz zdolność do obsługi dużych napięć i prądów. Te cechy sprawiają, że są one niezbędne w zastosowaniach wymagających dużej gęstości mocy i efektywności energetycznej, na przykład w samochodach elektrycznych, w których zarządzają energią elektryczną pomiędzy akumulatorem a silnikiem. Wysoka częstotliwość przełączania umożliwia również kompaktowe i lekkie konstrukcje energoelektroniki. Do renomowanych producentów tranzystorów – modułów IGBT – należą między innymi Infineon Technologies, Fuji Electric, ON Semiconductor i Mitsubishi Electric.