General Semiconductor/Vishay

GeneSiC Semiconductor este un inovator principal în lumea semiconductorilor de putere pe bază de carbură de siliciu (SiC). Firma a fost înființată în 2004 și are sediul în Fairfax, Virginia, SUA. Înființarea companiei a reprezentat o piatră de hotar semnificativă în industria tehnologiei, prevestind era semiconductoarelor pe bază de carbură de siliciu, care de atunci au revoluționat numeroase sectoare cu caracteristicile lor de performanță superioare în comparație cu semiconductorii de siliciu tradiționali.

La începuturile sale, GeneSiC Semiconductor s-a concentrat pe crearea de semiconductori de putere de înaltă calitate, fiabile și avansate din punct de vedere tehnologic. De-a lungul anilor, compania și-a extins portofoliul de produse considerabil. Acum oferă o gamă largă de dispozitive, inclusiv diode Schottky, tiristoare și redresoare controlate cu siliciu (SCR). Fiecare dintre aceste categorii de produse reprezintă cea mai recentă tehnologie a semiconductoarelor, concepută pentru a răspunde nevoilor în evoluție ale industriei electronice de putere. De la aplicații aerospațiale până la aplicații de energie regenerabilă, soluțiile GeneSiC sunt proiectate dinamic pentru a oferi rezultate excepționale în diferite domenii.

• Diode Schottky: Acestea sunt cunoscute pentru eficiența lor ridicată și comutarea rapidă. viteză. Acestea sunt utilizate pe scară largă în aplicațiile de alimentare și de conversie.
• Tiristoare: Tiristoarele sunt întrerupătoare semiconductoare renumite pentru capacitatea lor de a gestiona niveluri înalte de tensiune și curent. Își găsesc utilizarea într-o mare varietate de aplicații electronice de putere.
• Redresoare controlate cu silicon (SCR): SCR-urile sunt dispozitive PNPN cu trei joncțiuni utilizate în principal pentru controlul și redresarea puterii. Ele sunt utilizate predominant în sistemele de control al motoarelor și de comutare a puterii.