IGBT-uri (Insulated-Gate Bipolar Tranzistors) - Rețelele sunt o gamă de dispozitive semiconductoare de putere care servesc ca componente critice în numeroase sisteme electronice. Aceste dispozitive sunt utilizate în principal pentru comutarea energiei electrice într-o configurație de matrice, permițând o eficiență ridicată și comutare rapidă. Structura unică a IGBT-urilor le permite să combine beneficiile tranzistoarelor bipolare de înaltă tensiune și ale MOSFET-urilor, oferind pierderi reduse de putere și viteză mare de comutare. Aceste dispozitive se pretează la diverse aplicații, inclusiv acționări cu motor, unități de alimentare și sisteme de energie regenerabilă, printre altele. Sunt proiectate special pentru a gestiona niveluri semnificative de putere și pentru a porni și opri în mod eficient rapid, oferind capacitate de înaltă tensiune și o eficiență energetică îmbunătățită.

IGBT-urile - Rețelele au diverse utilizări, având în vedere caracteristicile lor inerente de impedanță de intrare ridicată, cădere scăzută de tensiune la starea de pornire și capabilități de comutare rapidă. În domeniul aplicațiilor industriale, ele sunt utilizate frecvent în convertizoare de frecvență variabilă, încălzire inductivă, levitație magnetică și tracțiune pe șină, printre alte utilizări. Unii producători importanți de IGBT - Arrays includ Infineon, Toshiba, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor și Texas Instruments. IGBT - Arrayurile sunt marcate prin robustețe, durabilitate și eficacitate, făcându-le indispensabile pentru sistemele electronice de mare putere.