Tranzistoarele - IGBT - Modulele sunt componente electronice avansate utilizate pentru a comuta și a amplifica eficient puterea electrică într-o gamă largă de aplicații. Un IGBT, care înseamnă Insulated Gate Bipolar Transistor, este un tip de tranzistor de putere care combină simplitatea unui tranzistor cu efect de câmp (FET) cu capacitatea de curent ridicat și tensiune de saturație scăzută a unui tranzistor bipolar. Modulul IGBT este o unitate integrată care include IGBT, precum și diode cu roată liberă, care sunt necesare pentru performanță și fiabilitate. Aceste module funcționează în principal pentru a controla și converti eficient energia electrică în vehiculele electrice, motoarele industriale, rețelele electrice și sistemele de energie regenerabilă, cum ar fi invertoarele pentru panouri solare.
Principalele caracteristici ale Tranzistorilor - IGBT - Module includ eficiență ridicată , viteze rapide de comutare și capacitatea de a gestiona tensiuni și curenți mari. Aceste atribute le fac cruciale în aplicațiile care necesită densitate mare de putere și eficiență energetică, cum ar fi mașinile electrice, unde gestionează energia electrică dintre baterie și motor. Frecvența mare de comutare permite, de asemenea, modele compacte și ușoare ale electronicii de putere. Printre producătorii renumiți de tranzistoare - IGBT - module se numără Infineon Technologies, Fuji Electric, ON Semiconductor și Mitsubishi Electric, printre altele.