Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtain- ed from the product data sheet.

Microsemi Corporation MS652S

Производитель номер части : MS652S
Производитель : Microsemi Corporation
Описание : TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Безсвинцовый статус / статус RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : MS652S.PDF MS652S PDF
Download Datasheet : MS652S Details.PDF MS652S PDF
EDA / CAD Models : MS652S by SnapEDA
Количество:
287 304 2110812 Microsemi-Corporation/MS652S 2110812

Request for Quotation

Technical Parameters of MS652S

Series:-
Transistor Type:NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):16V
Frequency - Transition:450MHz ~ 512MHz
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Gain:10dB
Power - Max:25W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:10 @ 200mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max):2A
Mounting Type:Chassis Mount
Package / Case:M123
Supplier Device Package:M123

информация о продукте

We can supply Microsemi Corporation part# MS652S, используйте форму запроса цитаты для запроса MS652S Цена и время выполнения заказа. Nantian Electronics - ntchip.com является независимым дистрибьютором электронных компонентов. С более чем 3 миллионами наименований доступных электронных компонентов можно отправить в короткие сроки, более 300 тысяч номеров деталей на складе для немедленной доставки, которые могут включать номер детали. MS652S. Цена и сроки изготовления MS652S в зависимости от необходимого количества, наличия и местонахождения склада. Свяжитесь с нами сегодня, и наш торговый представитель сообщит вам цену и условия доставки для Детали №. MS652S. Мы надеемся на партнерство с Вами.

MS652S Related Products

Горячая распродажа

Указатель электронных деталей
Более
# 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

We value your privacy

Our website uses cookies to ensure you are getting the best browsing experience, serve personalized content, and analyze our traffic.
By clicking "Accept Cookies", you consent to our use of cookies. Privacy Policy