IGBT (Bipolárne tranzistory s izolovanou bránou) – polia predstavujú rad výkonových polovodičových zariadení, ktoré slúžia ako kritické komponenty v mnohých elektronických systémoch. Tieto zariadenia sa používajú hlavne na spínanie elektrickej energie v konfigurácii poľa, čo umožňuje vysokú účinnosť a rýchle spínanie. Jedinečná štruktúra IGBT im umožňuje kombinovať výhody vysokonapäťových bipolárnych tranzistorov a MOSFET, ponúkajúce nízku stratu energie a vysokú rýchlosť spínania. Tieto zariadenia sa hodia na rôzne aplikácie vrátane motorových pohonov, napájacích jednotiek a systémov obnoviteľnej energie. Sú špeciálne navrhnuté tak, aby zvládali značné úrovne výkonu a efektívne sa rýchlo zapínali a vypínali, pričom ponúkajú možnosť vysokého napätia a zlepšenú energetickú účinnosť.

IGBT – polia majú rôznorodé využitie, vzhľadom na ich prirodzené vlastnosti vysokej vstupnej impedancie, nízky pokles napätia v zapnutom stave a rýchle spínacie schopnosti. V oblasti priemyselných aplikácií sa často používajú okrem iného v pohonoch s premenlivou frekvenciou, indukčnom ohreve, magnetickej levitácii a koľajovej trakcii. Niektorí poprední výrobcovia IGBT - Arrays zahŕňajú Infineon, Toshiba, Mitsubishi Electric, ON Semiconductor a Texas Instruments. IGBT – polia sa vyznačujú svojou robustnosťou, odolnosťou a účinnosťou, vďaka čomu sú nevyhnutné pre vysokovýkonné elektronické systémy.