IGBT – bipolárne tranzistory s jedným alebo jedným izolovaným hradlom sú typom výkonových elektronických zariadení, ktoré sa bežne používajú v mnohých typoch elektronických zariadení. Tieto diskrétne polovodiče slúžia ako kľúčový komponent v spínacích aplikáciách, kde môžu zapínať alebo vypínať tok elektrického prúdu. Ich hlavnou funkciou je riadiť elektrickú energiu kombináciou jednoduchých charakteristík hradlového pohonu MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) s vysokoprúdovou a nízkosaturačnou schopnosťou bipolárnych tranzistorov. Vďaka svojej jedinečnej štruktúre sa vyznačujú vysokou vstupnou impedanciou, jednoduchým pohonom, vysokou rýchlosťou spínania a robustnosťou, medzi inými funkciami.
IGBT – Single sú obzvlášť vhodné pre aplikácie, ktoré vyžadujú vysoké napätie a vysoký prúd, napr. ako napájacie jednotky, invertory v klimatizáciách a pohony elektromotorov. Tieto zariadenia možno nájsť aj v iných špecifických aplikáciách, ako sú systémy obnoviteľnej energie, elektrické vozidlá a vlaky. Medzi hlavné charakteristiky IGBT - Single patrí vysoká účinnosť, vynikajúci tepelný výkon a schopnosť pracovať pri vysokých frekvenciách. Viacerí výrobcovia, ako napríklad Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics a Toshiba, sa špecializujú na výrobu IGBT – Single, ktoré ponúkajú širokú škálu možností na splnenie rôznych špecifikácií a prevádzkových požiadaviek.
