IGBT - единични или биполярни транзистори с единичен изолиран затвор са тип силови електронни устройства, които обикновено се използват в много видове електронно оборудване. Тези дискретни полупроводници служат като решаващ компонент в комутационни приложения, където могат да включват или изключват потока на електрически ток. Тяхната основна функция е да контролират електрическата мощност чрез комбиниране на простите характеристики на задвижване на порта на MOSFET (полеви транзистори с метален оксид, полупроводник) с възможността за висок ток и ниско напрежение на насищане на биполярните транзистори. Благодарение на уникалната си структура, те показват висок входен импеданс, лесно задвижване, бърза скорост на превключване и здравина, наред с други характеристики.
IGBT - единични са особено подходящи за приложения, които изискват високо напрежение и висок ток, като например като захранващи блокове, инвертори в климатици и електромоторни задвижвания. Тези устройства могат да бъдат намерени и в други специфични приложения като системи за възобновяема енергия, електрически превозни средства и влакове. Основните характеристики на IGBT - Single включват висока ефективност, превъзходни топлинни характеристики и възможност за работа при високи честоти. Редица производители, като Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics и Toshiba, се специализират в производството на IGBT - единични, като предлагат широка гама от опции, за да отговорят на различни спецификации и оперативни изисквания.
