Транзисторите - IGBT - Модулите са усъвършенствани електронни компоненти, използвани за ефективно превключване и усилване на електрическата мощност в широк диапазон от приложения. IGBT, което означава биполярен транзистор с изолиран порт, е вид мощен транзистор, който съчетава простотата на транзистора с полеви ефекти (FET) с възможността за висок ток и ниско напрежение на насищане на биполярен транзистор. IGBT модулът е интегрирана единица, която включва IGBT, както и свободни диоди, които са необходими за производителност и надеждност. Тези модули функционират главно за контролиране и ефективно преобразуване на електрическа енергия в електрически превозни средства, промишлени двигатели, електрически мрежи и системи за възобновяема енергия като инвертори за слънчеви панели.
Основните характеристики на транзисторите - IGBTs - модулите включват висока ефективност , бързи скорости на превключване и способност за работа с големи напрежения и токове. Тези атрибути ги правят решаващи в приложения, които изискват висока плътност на мощността и енергийна ефективност, като например в електрически автомобили, където управляват електрическата енергия между батерията и двигателя. Високата честота на превключване също така позволява компактни и леки конструкции на силова електроника. Известни производители на транзистори - IGBT - модули включват Infineon Technologies, Fuji Electric, ON Semiconductor и Mitsubishi Electric, всички от които са признати за своята надеждност на продуктите и иновации.
