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Global Power Technologies Group Transistoren (BJT) – einzeln

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Artikelnummer
Hersteller
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MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK
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MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
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MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
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MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
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DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2
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DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2
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DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2
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IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
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DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2
Anfrage
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
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DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
Anfrage
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
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IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
Anfrage
IGBT 600V 80A 231W TO3PN
Anfrage
DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2
Anfrage
DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO263-2
Anfrage
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Anfrage
IGBT 600V 120A 347W TO3PN
Anfrage
IGBT 1200V 60A 329W TO3PN
Anfrage
IGBT 1000V 60A 463W TO264
Anfrage
IGBT 1200V 80A 455W TO264
Anfrage
IGBT 1200V 60A 329W TO247
Anfrage
IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
Anfrage
IGBT 1200V 80A 480W TO264
Anfrage
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
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DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
Anfrage
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2
Anfrage
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2
Anfrage
DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227
Anfrage
DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227
Anfrage
Elektronischer Teileindex
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