En Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) er en halvlederenhed, der er meget udbredt i kraftelektronik. Den kombinerer de enkle gate-drive-karakteristika for MOSFET'er med bipolære transistorers højstrøms- og lavmætningsspændingsevne. IGBT'er bruges primært til at skifte strøm i mange moderne apparater, fra elbiler til klimaanlæg, hvor effektiv energiomsætning er afgørende. De foretrækkes for deres evne til at håndtere høje spændinger og strømme med relativt lav gate-driveffekt.
De vigtigste anvendelser af IGBT'er omfatter frekvensomformere (VFD'er), motorcontrollere til elektriske køretøjer og invertere til vedvarende energi , især i sol- og vindenergisystemer. De er værdsat for deres effektivitet, som hjælper med at minimere varmeudvikling og øge pålideligheden af elektroniske systemer. Nøglekarakteristika omfatter høj effektivitet, robusthed og evnen til at operere ved høje frekvenser. Fremtrædende producenter af IGBT'er omfatter Infineon, Toshiba og Fuji Electric.
