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General Semiconductor/Vishay

GeneSiC Semiconductor est un innovateur de premier plan dans le monde des semi-conducteurs de puissance à base de carbure de silicium (SiC). La société a été créée en 2004 et son siège social est situé à Fairfax, en Virginie, aux États-Unis. La création de l'entreprise a constitué une étape importante dans l'industrie technologique, annonçant l'ère des semi-conducteurs à base de carbure de silicium qui ont depuis révolutionné de nombreux secteurs grâce à leurs caractéristiques de performance supérieures par rapport aux semi-conducteurs au silicium traditionnels.

À sa création, GeneSiC Semiconductor s'est concentré sur la création de semi-conducteurs de puissance de haute qualité, fiables et technologiquement avancés. Au fil des années, l'entreprise a considérablement élargi sa gamme de produits. Elle propose désormais une large gamme de dispositifs, notamment des diodes Schottky, des thyristors et des redresseurs contrôlés au silicium (SCR). Chacune de ces catégories de produits représente la dernière technologie en matière de semi-conducteurs, conçue pour répondre aux besoins changeants de l'industrie de l'électronique de puissance. De l'aérospatiale aux applications d'énergie renouvelable, les solutions GeneSiC sont conçues de manière dynamique pour fournir des résultats exceptionnels dans divers domaines.

  • Diodes Schottky : Elles sont connues pour leur rendement élevé et leur commutation rapide. vitesse. Ils sont largement utilisés dans les applications d'alimentation et de conversion.
  • Thyristors : Les thyristors sont des commutateurs à semi-conducteurs réputés pour leur capacité à gérer des niveaux de tension et de courant élevés. Ils trouvent leur utilisation dans une grande variété d'applications d'électronique de puissance.
  • Redresseurs contrôlés au silicium (SCR) : Les SCR sont des dispositifs PNPN à trois jonctions principalement utilisés pour contrôler et redresser l'alimentation. Ils sont principalement utilisés dans les systèmes de commande de moteur et de commutation de puissance.

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