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Fairchild Semiconductor FQD1N80TM

Fabricant Numéro d'article : FQD1N80TM
Fabricant : Fairchild Semiconductor
Description : MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS : Lead free / RoHS Compliant
Datasheet : FQD1N80TM.PDF FQD1N80TM PDF
Download Datasheet : FQD1N80TM Details.PDF FQD1N80TM PDF
EDA / CAD Models : FQD1N80TM by SnapEDA
Quantité:
287 295 2096847 http://www.fairchildsemi.com/datasheets/FQ/FQD1N80.pdf Fairchild-Semiconductor/FQD1N80TM 2096847

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Technical Parameters of FQD1N80TM

Series:QFET?
FET Type:MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature:Standard
Drain to Source Voltage (Vdss):800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25~C:1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:5V @ 250米A
Gate Charge (Qg) @ Vgs:7.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds:195pF @ 25V
Power - Max:2.5W
Operating Temperature:-55~C ~ 150~C (TJ)
Mounting Type:Surface Mount
Package / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package:TO-252-3

détails du produit

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